特許
J-GLOBAL ID:200903025803149079
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-073305
公開番号(公開出願番号):特開2005-260181
出願日: 2004年03月15日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
【課題】 熱サイクルの多い自動車車載用途にも適用可能な、高強度性と高放熱性を合わせ持つ半導体装置並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 熱伝導性のベース板1に接合剤4aで接合された絶縁回路基板1a上に搭載された電子部品6とベース板1に接着された外囲ケース7とを含む樹脂封止型半導体装置であって、前記絶縁回路基板1aが絶縁板2と該絶縁板の表裏に接合された金属板3a、3bからなり前記金属板3a、3bの厚さの和が0.9mmから2.2mmの範囲にあり、前記接合剤4aの厚さが50ミクロン以上である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
熱伝導性のベース板と、該ベース板に接合材で接合された絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に搭載された電子部品と、前記ベース板に接着された外囲ケースであって前記ベース板と前記外囲ケースとにより内部に前記電子部品の収容部を形成する外囲ケースと、を含む樹脂封止型半導体装置であって、
前記絶縁回路基板が、絶縁板と該絶縁板の表裏に接合された金属板を有しており、
前記金属板の厚さの和が0.9mmから2.2mmの範囲にあって、かつ、前記接合材の最小厚さが50μm以上に保たれていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4件):
H01L23/12
, H01L23/36
, H01L25/07
, H01L25/18
FI (3件):
H01L23/12 J
, H01L25/04 C
, H01L23/36 C
Fターム (3件):
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BB08
引用特許:
出願人引用 (3件)
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窒化珪素回路基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-319368
出願人:電気化学工業株式会社
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回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-347197
出願人:電気化学工業株式会社
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セラミックス回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-272045
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (3件)
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