半導体製造装置の温度制御方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：村上友一 , 大久保操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030935
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241302
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】複数の誘導加熱コイルを用いて、半導体製造装置の精密な温度制御を行う半導体製造装置の温度制御方法を提供する。【解決手段】複数ゾーンからなる加熱コイル10を使用した半導体製造装置の温度制御方法において、サセプタ12に対する磁束の干渉度を予め求めておく。前記サセプタ12の各ゾーンが、必要とする熱量を発生させるために各加熱コイル10に要求される電流値を算出する。当該電流値に相当する電流を前記各加熱コイル10に投入する。また、要求される電流を投入された各加熱コイル10は、当該電流の周波数・電流位相を、同期又は設定範囲内に保持させ、前記投入電力に応じた温度制御を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、被加熱体に対する磁束の干渉度を予め求めておき、被加熱体の各ゾーンが必要とする熱量を発生させるために各誘導加熱コイルに要求される電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電することを特徴とする半導体装置の温度制御方法。

IPC (2件)：

H05B6/06 , H01L21/205

FI (2件)：

H05B6/06 301 , H01L21/205

Fターム (8件)：

3K059AA08 , 3K059AC07 , 3K059AC33 , 3K059AC70 , 3K059AD04 , 5F045BB02 , 5F045DP02 , 5F045EK03

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-200505 出願人：三井造船株式会社
誘導加熱方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197970 出願人：三井造船株式会社
基板の加熱装置及び基板の加熱方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-213378 出願人：コンセプト・システムズ・デザイン・インコーポレイテッド, アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド

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