特許
J-GLOBAL ID:200903025863000511
半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
瀬谷 徹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-157963
公開番号(公開出願番号):特開2000-138317
出願日: 1999年06月04日
公開日(公表日): 2000年05月16日
要約:
【要約】【課題】 ソルダボールの数を増大させ、半導体チップの外周縁に位置するサブストレートの曲がり現象を防止し、かつ半導体チップの熱を外部に容易に放出し得る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体装置において、半導体チップ40の一面に、その外周縁まで延長されるサブストレート10を接着し、半導体チップ40の外周縁に延長されたサブストレート10を封止部60、61で支持することで、半導体チップ40の一面を空気に直接露出させるか又は放熱板90を更に付着した構成としたものである。
請求項(抜粋):
一面に多数の入出力パッドが形成された半導体チップと、多数のソルダボールランドが配列され、前記ソルダボールランドにはボンドフィンガが連結され配列されたサーキットパターンが形成され、前記サーキットパターンにはソルダボールランドとボンドフィンガをオープニングさせるカバーコートがコーティングされ、前記ボンドフィンガの側面には貫通孔が形成されてなるサブストレートと、前記サブストレートの貫通孔により半導体チップの入出力パッドが露出されるように、前記サブストレートと半導体チップを接着させる接着層と、前記サブストレートの貫通孔を通過して、前記半導体チップの入出力パッドとサブストレートのボンドフィンガを電気的に接続する多数の電気的接続手段と、前記サブストレートの貫通孔の内側に位置する前記半導体チップの入出力パッド及び接続手段を封止する第1封止部と、前記半導体チップの側面とサブストレートとの間を封止する第2封止部と、前記半導体チップの一面及び前記第2封止部により支持されるサブストレートのソルダボールランドに融着された多数のソルダボールとを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/34
FI (3件):
H01L 23/12 L
, H01L 23/34 A
, H01L 23/30 D
Fターム (12件):
4M109AA01
, 4M109BA05
, 4M109CA21
, 4M109DA04
, 4M109DB02
, 4M109DB12
, 4M109DB17
, 4M109FA07
, 4M109GA05
, 5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BE01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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集積回路用パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-138446
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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半導体装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-106359
出願人:沖電気工業株式会社
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電子部品組立体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-216853
出願人:日本電気株式会社
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