特許
J-GLOBAL ID：200903025899900632

半導体素子モジュール及びその放熱ベース基板

発明者：
澤野 理一

澤野 理一 について

, 
丸山 宏二

丸山 宏二 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-285358
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349673
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】 絶縁性樹脂材料の硬化過程でのベース基板の反りを抑制するとともに、従来品と同程度の設置面積で約2倍の容量増加を図ること。【解決手段】 金属製のベース基板1の内部には、冷媒流路11が設けられ、この冷媒流路11内には、冷媒液12が通流されていて、半導体素子3a,3bの損失熱量を外部に放出するように構成されている。ベース基板1の両表面上には、絶縁層2a,2bが設けられていて、金属板リードフレーム5a-1〜5b-2が、各絶縁層2a,2b上に密着固定されている。半導体素子3a,3bは、一方の面電極が、金属板リードフレーム5a-1,5b-1に導電性接合材で密着固定されていて、他方の電極は、白金線6a,6bで他の金属板リードフレーム5a-2,5b-2と接続されている。両面の半導体素子3a,3bの周りは、絶縁性樹脂9で一体モールド成形されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ベース基板上に半導体素子への配線パターンを成す導体が密着固定され、該導体が前記半導体素子の電極と電気的に接合され、該半導体素子の周囲が絶縁性樹脂で成形封止されている絶縁性樹脂成形体を有する半導体素子モジュールにおいて、 前記絶縁性樹脂成形体からその一部が外部に露出しているベース基板と、前記ベース基板の両面に密着固定された配線パターンを成す複数の導体と、該導体のそれぞれの面に、少なくとも1個以上設けられた半導体素子と、前記ベース基板の内部に設けられ、面方向に熱を移動させる熱移動機構とを備えたことを特徴とする半導体素子モジュール。
IPC (1件)：
H01L23/473
FI (1件)：
H01L23/46 Z
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB44 ,  5F036BC05 ,  5F036BD01 ,  5F036BE01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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