特許
J-GLOBAL ID：200903025909983736

半導体装置およびその製造方法

発明者：
長岡 弘二郎

長岡 弘二郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141584
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322859
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】被埋め込み部への埋め込み用絶縁膜の埋め込み特性を向上させ、良好な埋め込み構造を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1に形成されたトレンチ5の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン(HCD)Si2 Cl6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜(HCD-シリコン窒化膜)7を形成する。HCD-シリコン窒化膜7を下地絶縁膜として形成した後に、準常圧CVDによりシリコン酸化膜を成膜して、トレンチ5を埋め込む埋め込み用絶縁膜10を形成する。HCD-シリコン窒化膜7により、準常圧CVDの下地依存性が軽減され、トレンチ5内でのシリコン酸化膜の成膜速度が向上し、膜質も向上する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板あるいは基板上に形成された被埋め込み部に埋め込み用絶縁膜が埋め込まれた埋め込み構造を有する半導体装置であって、 ヘキサクロロジシランを含む原料ガスを用いた化学気相堆積法により、前記被埋め込み部の内壁に形成されたシリコン窒化膜を含む下地絶縁膜と、 前記下地絶縁膜を介して、前記被埋め込み部を埋め込んで形成された埋め込み用絶縁膜と、 を有する埋め込み構造を備えた 半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/76 ,  H01L21/318
FI (2件)：
H01L21/76 L ,  H01L21/318 M
Fターム (18件)：
5F032AA37 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA49 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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