半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002019
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196590
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】複数の結晶粒から成る結晶質半導体膜において配向性が低いと結晶粒界で不対結合手が多く形成され、結晶質半導体膜中のキャリア(電子・ホール)の輸送特性を低下させる。【解決手段】基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒す第1の工程と、前記基板上に非晶質半導体膜を形成する第2の工程と、前記非晶質半導体膜上に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素が含有する層を形成する第3の工程と、前記非晶質半導体膜を第1の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成する第5の工程と、前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第6の工程と、前記第6の工程の後にハロゲンを含む酸化雰囲気中で第2の加熱処理を行う第7の工程とを有する。

請求項（抜粋）：

基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒す第1の工程と、前記基板上に非晶質半導体膜を形成する第2の工程と、前記非晶質半導体膜上に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素が含有する層を形成する第3の工程と、前記非晶質半導体膜を第1の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成する第5の工程と、前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第6の工程と、前記第6の工程の後にハロゲンを含む酸化雰囲気中で第2の加熱処理を行う第7の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/322

FI (11件)：

G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/316 S , H01L 21/316 M , H01L 21/318 C , H01L 21/322 R , H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 V

Fターム (177件)：

2H092JA34 , 2H092KA05 , 2H092MA08 , 2H092MA26 , 2H092NA24 , 5C094AA13 , 5C094AA21 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA56 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB03 , 5C094FB05 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC17 , 5F045AF07 , 5F045AF16 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045HA15 , 5F045HA16 , 5F052AA15 , 5F052CA00 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052GB05 , 5F052GB09 , 5F052JA04 , 5F052JA10 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF34 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF68 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA12 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD11 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE27 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG36 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110GG55 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN44 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN52 , 5F110NN54 , 5F110NN55 , 5F110NN58 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435EE31 , 5G435HH12 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435KK05

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135774 出願人：シャープ株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-112443 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-156719 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る