特許
J-GLOBAL ID：200903017335002453
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156719
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186563
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 高性能な電気光学装置や半導体回路、さらにはそれらを搭載した電子機器を低価格で提供する。【解決手段】 結晶化を助長する触媒元素を利用して形成した結晶性半導体薄膜に対して、ハロゲン元素を含む雰囲気中において 700°Cを超える加熱処理を施すと実質的に結晶粒界の存在しない結晶構造が得られる。本願発明では上記結晶性半導体薄膜を安価で耐熱性の高い結晶化ガラス基板上に形成することで低価格な半導体装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
歪点が750°C以上であるガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも表面及び裏面に対して形成された絶縁性珪素膜と、前記絶縁性珪素膜上に形成された複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜をチャネル形成領域とするTFTと、を構成に含む半導体装置であって、前記チャネル形成領域の面方位は概略{110}配向であり、且つ、結晶粒界において90%以上の結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 626 C
