特許
J-GLOBAL ID：200903026126023981
磁気抵抗効果素子、及びこれを備える磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196662
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039941
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】再生出力が高く、特にCPP-GMRとして用いると最適な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の磁性層と、第2の磁性層と、該第1の磁性層と第2の磁性層との間に形成された非磁性中間層とを備える磁気抵抗効果素子において、上記第1の磁性層に含有される磁性体の伝導電子が属するエネルギーバンドと、上記第2の磁性層のうち少なくとも一方に含有される磁性体の伝導電子が属するエネルギーバンドとが同種の軌道とすることにより、磁気抵抗変化率が向上し、且つ電気抵抗が調整される。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と、第2の磁性層と、該第1の磁性層と第2の磁性層との間に形成された非磁性中間層とを備える磁気抵抗効果素子において、
上記第1の磁性層に含有される磁性体の伝導電子が属するエネルギーバンドと、上記第2の磁性層のうち少なくとも一方に含有される磁性体の伝導電子が属するエネルギーバンドとが同種の軌道であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L43/08
, G01R33/09
, G11B5/39
, G11C11/15
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, G11C11/15 112
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
, G01R33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA02
, 5D034BA06
, 5D034CA00
, 5E049AA01
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
