特許

J-GLOBAL ID：200903026137868037

化学機械研磨用スラリー

発明者： 関口 淳之輔 ,  山口 俊一郎
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-151525
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345295
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の製造、特に銅配線形成工程で銅配線の埋め込み後に行う化学機械研磨に際し、銅配線の中央付近が削れすぎて皿状に凹んでしまうディッシング現象、絶縁膜が崩れてしまうエロージョン現象、さらには過剰溶解によるリセス現象や銅配線又は絶縁層の一部が削除されるスクラッチ現象を効果的に防止すると共に、研磨速度を高め、作業能率を向上させた化学機械研磨用スラリーを提供することを課題とする。【解決手段】 腐食抑制剤としてシランカップリング剤を含有することを特徴とする化学機械研磨用スラリー

請求項（抜粋）：

腐食抑制剤としてシランカップリング剤を含有することを特徴とする化学機械研磨用スラリー。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 M

Fターム (11件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  5F043AA26 ,  5F043AA38 ,  5F043AA40 ,  5F043BB18 ,  5F043DD16 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-351341   出願人：富士通株式会社, 三井金属鉱業株式会社
• 基板研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004543   出願人：ソニー株式会社
• 研磨材組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-222005   出願人：昭和電工株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276937   出願人：株式会社日立製作所
• 基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-078734   出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所