成膜方法及び成膜装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-104437
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311782
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】例えばMOSFETのゲート酸化膜などの高誘電率膜として有効なハフニウム化合物膜を成膜するにあたり、結晶化温度が高いハフニウム化合物膜を成膜できる手法を提供すること。【解決手段】減圧雰囲気かつ加熱雰囲気下において反応容器内にてハフニウム有機化合物の蒸気とモノシランガスあるいはジシランガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜する。得られた高誘電率膜はシリコンによる結晶化抑制の働きにより結晶化温度が高い。またハフニウム酸化膜やハフニウムシリケート膜をアンモニアガスにより加熱雰囲気下でアニールする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器内にてハフニウム有機化合物とシラン系ガスとを反応させてハフニウムシリケート膜を基板上に成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/316 P , H01L27/10 651 , H01L29/78 301G

Fターム (24件)：

5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH02 , 5F083AD11 , 5F083JA03 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04

引用特許：

審査官引用 (6件)

珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375450 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-287542 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
高誘電率絶縁膜を有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015066 出願人：松下電器産業株式会社

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