特許
J-GLOBAL ID：200903026364004332
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015753
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】ゲート絶縁膜としてシリコン酸窒化膜、ゲート電極として導電性を有する多結晶シリコン膜を用いたMOSトランジスタの製造方法において、ゲート電極の下端部における電界を後酸化によって十分に緩和すること。【解決手段】オゾンを含む酸化種を用いた後酸化によって、ゲート電極3の下端部の形状を十分に丸める。
請求項（抜粋）：
主面を有する半導体基板であって、前記主面は、第1の領域およびそれよりも表面が低い第2の領域を有し、かつ前記第1の領域と前記第2の領域は繋がっている半導体基板と、前記第1の領域上に形成され、シリコン、窒素および酸素を含む第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、シリコンを含む導電膜と、前記第2の領域上に形成され、シリコンおよび酸素を含み、前記導電膜および前記第1の絶縁膜とコンタクトする第2の絶縁膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 21/318
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 Y
, H01L 21/28 F
, H01L 21/318 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 301 F
, H01L 29/78 371
