特許
J-GLOBAL ID：200903026372887286

窒化ガリウム系半導体発光素子及び半導体レーザ光源装置

発明者：
奥村 敏之

奥村 敏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065725
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261838
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体からなり、高い光出力が得られ波長シフトがない発光ダイオード素子、および、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体の量子井戸構造活性層を形成する。量子井戸構造活性層は交互に積層された量子井戸層と障壁層とから形成され、前記量子井戸層の層数は2以上4以下であり、前記障壁層の層厚は4nm以下である。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体よりなる量子井戸構造活性層を備え、前記量子井戸構造活性層は交互に積層された量子井戸層と障壁層とから形成され、前記量子井戸層の層数は2以上4以下であり、前記障壁層の層厚は4nm以下である、ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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