特許
J-GLOBAL ID：200903026595039716
湿式酸化を用いた薄膜酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016903
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 湿式酸化膜の成長厚さを調節することができるようにする。【解決手段】 第1不活性ガスと酸素を含有する第1ガス混合物、及び第2不活性ガスを流入させつつ、薄膜酸化膜を形成しようとする半導体ウェーハを反応炉にローディングし、それらを薄膜酸化膜を形成しようとする半導体ウェーハが入っている反応炉に流入させつつ、反応炉の内部温度を所定の第1温度に維持し、第1不活性ガスと酸素を含有する第2ガス混合物と第2不活性ガスを反応炉に流入させつつ、反応炉の内部温度を所定の第2温度に上昇させ、第1不活性ガスと酸素を含有する第3ガス混合物、及び第2不活性ガスを反応炉に流入させつつ、温度を維持し、第2不活性ガスを反応炉に流入させつつ、熱分解性水蒸気を含有する第4ガス混合物を用いて湿式酸化反応を行って酸化膜を形成し、第1不活性ガス及び第2不活性ガスを反応炉に流入させつつ、反応炉の温度を維持する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハ上に薄膜酸化膜を形成する方法であって、第1不活性ガスと酸素を含有する第1ガス混合物、及び第2不活性ガス(前記第1不活性ガスと第2不活性ガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム及びこれらの混合物よりなる群から選ばれるものである)を、薄膜酸化膜を形成しようとする半導体ウェーハが入っている反応炉に流入させつつ、前記反応炉の内部温度を所定の第1温度に維持する段階(第1温度安定化段階)と、前記第1不活性ガスと酸素を含有する第2ガス混合物、及び前記第2不活性ガスを前記反応炉に流入させつつ、前記反応炉の内部温度を所定の第2温度に上昇させる段階(温度上昇段階)と、前記第1不活性ガスと酸素を含有する第3ガス混合物、及び前記第2不活性ガスを前記反応炉に流入させつつ、前記温度を維持する段階(第2温度安定化段階)と、前記第2不活性ガスを前記反応炉に流入させつつ、熱分解性(pyrogenic)水蒸気を含有する第4ガス混合物を用いて湿式酸化反応を行って前記酸化膜を形成する段階(湿式酸化段階)と、前記第1不活性ガス及び前記第2不活性ガスを前記反応炉に流入させつつ、前記反応炉の温度を維持する段階(第3温度安定化段階)とを含むことを特徴とする湿式酸化を用いた薄膜酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 21/31 E
