特許
J-GLOBAL ID：200903026679864062
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061213
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264480
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、適切な研摩剤を用いることに依り、埋め込み型電極・配線を形成した半導体装置中にアルカリ金属が入ることを防止しようとする。【構成】 層間絶縁膜16或いは19に例えばソース電極コンタクト・ホール及びゲート電極コンタクト・ホール、或いは、例えばソース配線形成用溝及びゲート配線形成用溝を形成し、前記電極コンタクト・ホール或いは溝を埋め且つ覆うW膜を形成し、例えば砥粒:Al2 O3 +添加剤:フタルアミド+溶媒:水からなる研磨剤を用い、W膜を研磨してソース電極18S或いはゲート・コンタクト電極18G或いはソース配線21S或いはゲート・コンタクト配線21Gを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜に電極或いは配線を埋め込む電極コンタクト・ホール或いは溝を形成する工程と、次いで、前記電極コンタクト・ホール或いは溝を埋め且つ覆う電極材料膜或いは配線材料膜を形成する工程と、次いで、アルカリ金属を含まない研磨剤を用いて前記電極材料膜或いは配線材料膜を研磨して前記電極コンタクト・ホール内或いは溝内に在るものを埋め込み電極或いは埋め込み配線として残すように他を除去する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/304 321
, H01L 21/3205
, C09K 3/14 550
H01L 21/28 H
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/28 301 L
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/304 321 P
, C09K 3/14 550 Z
, H01L 21/88 M
, H01L 21/88 B
