半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051255
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】不純物が活性層に悪影響を与えにくく、リーク電流の低い半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【構成】 SnドープInP基板1上にn-InGaAsP導波路層2と7ペアのInGaAsP井戸層3、InGaAsPバリア層4とアンドープInP層5が形成されている。電流ブロック部は、p-InP第1電流ブロック層6、n-InP第2電流ブロック層7、p-InP第3電流ブロック部8の3層構造を有している。p-InP第1電流ブロック層6は、活性層近傍において相対的に低い不純物濃度を有している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成され、活性層を含むストライプ状多層構造と、該ストライプ状多層構造の両側の該半導体基板上に形成された電流ブロック部と、を備えた半導体レーザであって、該電流ブロック部は、第2導電型の第1電流ブロック層と、該第1電流ブロック層上に形成された第1導電型の第2電流ブロック層と、を有しており、該第1電流ブロック層は、第2導電型の不純物の濃度が相対的に低い低濃度領域と、該不純物の濃度が該低濃度領域より高い高濃度領域とを含み、しかも、該低濃度領域は、該高濃度領域の位置よりも該ストライプ状多層構造に近い位置に設けられている半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017990 出願人：富士通株式会社
特開昭64-082587
半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-271083 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る