特許
J-GLOBAL ID：200903026774336901

磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法

発明者：
與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-021278
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207778
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】反転磁界閾値のばらつきを低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子の製造方法は、固定層と記録層と固定層及び記録層に挟まれた非磁性層とを有する材料層10aを基板101上に形成する工程と、材料層10a上にマスク材102aを形成する工程と、インプリントリソグラフィを用いてマスク材102aを加工することにより、所望パターンを有するマスク102を形成する工程と、このマスク102を用いて102a材料層を加工することにより、所望パターンを有する磁気抵抗効果素子10を形成する工程とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層に挟まれた第1の非磁性層とを有する材料層を基板上に形成する工程と、 前記材料層上にマスク材を形成する工程と、 インプリントリソグラフィを用いて前記マスク材を加工することにより、所望パターンを有する第1のマスクを形成する工程と、 前記第1のマスクを用いて前記材料層を加工することにより、所望パターンを有する磁気抵抗効果素子を形成する工程と を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (5件)：
H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M
Fターム (51件)：
4M119AA08 ,  4M119AA09 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC04 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD22 ,  4M119DD23 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ20 ,  5F092AA15 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC42 ,  5F092BC46 ,  5F092CA06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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