特許
J-GLOBAL ID：200903026897382037

半導体装置

発明者：
新井 肇

新井 肇 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024657
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224904
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 能動素子の特性変動の少ない、高信頼性の半導体装置を得ることを主要な目的とする。【解決手段】 フィールド酸化膜5の上に、レーザトリミング用リンク8が設けられている。半導体基板1の表面中であって、フィールド酸化膜5の下にNウェル4が形成されている。Nウェル4は、レトログレードウェルにより形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の主表面中に設けられた、素子領域を他の素子領域から分離するフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜の上に設けられた、レーザトリミング用リンクと、前記半導体基板の表面中であって、前記フィールド酸化膜の下に設けられ、レトログレードウェルで形成されたNウェルと、を備えた半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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