特許
J-GLOBAL ID：200903026933315481
広範囲なワイヤを形成するためのナノスケール・パターン形成
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岡田 次生
, 伏見 直哉
, 平野 ゆかり
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-564392
公開番号（公開出願番号）：特表2004-500250
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
装置応用のためのナノスケール・ワイヤを形成するのに役立つ圧盤を形成する方法は、(a)主面を有する基板を提供する段階と、(b)基板上に2つの異種材料の複数の交互層を形成して、基板の主面と平行な主面を有するスタックを形成する段階と、(c)スタックを主面と垂直に切断して複数の交互層を露出させる段階と、(d)一方の材料を他方の材料と異なる速度でエッチングするエッチング液を使用して、露出した複数の交互層を、選択された深さにエッチングして、それにより、表面に広範囲なくぼみのストリップを設け、ナノインプリンティング技法のための原型を成形するのに有用な圧盤を形成する段階とを含む。次に、圧盤のパターンは、ナノワイヤを形成するさらなる処理に使用されるパターンのネガを形成するようにより柔軟な材料を含む基板に刻印される。ナノスケール圧盤は、このように、2つの異種材料の複数の交互層を含み、一方の材料の層と他方の材料の層が相対的にエッチングされて一方の材料のくぼみが形成される。次に、圧盤は、刻印される面に対してくぼみが平行になるように向けられる。
請求項（抜粋）：
装置応用のためのナノスケール・ワイヤを形成するのに役立つ圧盤を形成する方法であって、
(a)主面を有する基板を提供する段階と、
(b)前記基板上に2つの異種材料の複数の交互層を形成して、前記基板の主面と平行な主面を有するスタックを形成する段階と、
(c)前記スタックをその主面と垂直に切断して、前記複数の交互層を露出させる段階と、
(d)一方の材料を他方の材料と異なる速度でエッチングするエッチング液を使用して、前記露出した複数の交互層を選択された深さにエッチングして、それにより、前記表面に広範囲のくぼみのストリップを設け、ナノインプリンティング技法のための原型を成形するのに役立つ前記圧盤を形成する段階と、
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5F033HH07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ26
, 5F033XX03
