特許
J-GLOBAL ID:200903026946176820
配線基板、配線基板の形成方法、有機ELパネル
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小橋 信淳
, 小橋 立昌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-049626
公開番号(公開出願番号):特開2005-243793
出願日: 2004年02月25日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】 保護層に依らず、配線電極の構造のみで配線電極間のマイグレーションを防止する。【解決手段】 互いに近接した少なくとも2本の配線電極11を絶縁性の基板10上に形成した配線基板1であって、配線電極11は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分11aと、低抵抗配線部分11aに導通して低抵抗配線部分11aと他の配線電極との間の基板10上に形成される配線領域11bとを有し、配線領域11b(12b〜22b)はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
互いに近接した少なくとも2本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板であって、
前記配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする配線基板。
IPC (5件):
H05K1/09
, H05B33/02
, H05B33/14
, H05B33/22
, H05K1/02
FI (7件):
H05K1/09 A
, H05K1/09 C
, H05B33/02
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
, H05K1/02 J
Fターム (28件):
3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4E351AA01
, 4E351AA13
, 4E351BB01
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB32
, 4E351BB36
, 4E351DD04
, 4E351DD05
, 4E351DD12
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD20
, 4E351DD22
, 4E351DD35
, 4E351GG12
, 5E338AA01
, 5E338AA13
, 5E338AA16
, 5E338AA18
, 5E338CC01
, 5E338CD13
, 5E338EE60
引用特許:
出願人引用 (2件)
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配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-046438
出願人:京セラ株式会社
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配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-158699
出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (7件)
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特開平1-207949
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回路基盤
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-101525
出願人:ミツミ電機株式会社
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弾性表面波素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-140322
出願人:株式会社日立製作所
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