特許
J-GLOBAL ID：200903026965396106

薄膜磁気素子及びその製造方法

発明者：
大嶋 正弘

大嶋 正弘 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342318
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151757
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 従来の薄膜磁気素子では、硬磁性層の下層のバイアス下地層が多層膜側面で薄くなっていた。【解決手段】 バイアス下地層27,27の側面部27a,27aの膜厚bを底面部27b,27bの膜厚aよりも大きくする。
請求項（抜粋）：
基板上に、磁気抵抗効果を発揮する多層膜と、前記多層膜のトラック幅方向両側に形成され、前記多層膜に含まれる少なくともひとつの磁性層の磁化方向を揃える硬磁性層を有する薄膜磁気素子において、前記硬磁性層は非磁性材料からなるバイアス下地層上に形成され、前記バイアス下地層は前記多層膜の側面に沿って形成されている側面部と前記硬磁性層の下層で前記基板の表面にほぼ平行な方向に沿って形成されている底面部とを有しており、前記側面部の膜厚が前記底面部の膜厚より大きく形成されていることを特徴とする薄膜磁気素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  C23C 14/14 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12
FI (8件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  C23C 14/14 F ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (20件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029BA07 ,  4K029BA24 ,  4K029BB02 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AC03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01 ,  5E049GC06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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