基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294457
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109993
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウェハが搬送される際にウェハ表面のパーティクルを均一に除去することのできる通路を備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、チャンバ内に対して被処理基板を搬送するための通路22と、パージガスが供給されるガス室24と、通路22とガス室24との間に形成された壁部であって、通路22とガス室24とを連通する複数の孔26が所定の間隔で少なくとも1列に形成された前記壁部と、ガス室24の壁面のうち孔26の列が延びる方向において対向する1対の壁面38及び40にそれぞれ設けられたパージガスのガス供給部28とを備えたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に対して被処理基板を搬送するための通路と、パージガスが供給されるガス室と、前記通路と前記ガス室との間に形成された壁部であって、前記通路と前記ガス室とを連通する複数の孔が所定の間隔で少なくとも1列に形成された前記壁部と、前記ガス室の壁面のうち前記孔の列が延びる方向において対向する1対の壁面にそれぞれ設けられた前記パージガスのガス供給部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , B65G 49/00 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/68 A , B65G 49/00 A , H01L 21/02 D

Fターム (15件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031GA35 , 5F031MA04 , 5F031MA28 , 5F031NA02 , 5F031NA04 , 5F031NA08 , 5F031NA09 , 5F031NA15 , 5F031NA16 , 5F031NA18 , 5F031PA26

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-279022
マルチチヤンバ型枚葉処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215576 出願人：東芝機械株式会社
半導体ウエハ製造方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-064528 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所

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