特許
J-GLOBAL ID:200903026995332773

半導体素子を金属層によって基板に接合したモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-099271
公開番号(公開出願番号):特開2009-253025
出願日: 2008年04月07日
公開日(公表日): 2009年10月29日
要約:
【課題】半導体素子12と基板16を接合する金属層14に大きな応力が作用しないようにして耐久性を向上する。【解決手段】半導体素子12の周辺領域の厚みを半導体素子12の中央領域の厚みより薄くする。金属層14に大きな応力が発達しやすい周辺領域における半導体素子の厚みを薄くすると、金属層14に大きな応力が繰返し作用する現象を抑制することができ、金属層14の耐久性を向上させることができる。特に、半導体素子12の裏面側で薄くすると、金属層14の厚みを周辺領域で厚くすることができ、それによっても金属層14に作用する応力を低下して耐久性を向上させることができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体素子の裏面を金属層によって基板の表面に接合したモジュールであり、 半導体素子の周辺領域の厚みが半導体素子の中央領域の厚みより薄いことを特徴とするモジュール。
IPC (2件):
H01L 21/52 ,  H01L 21/02
FI (2件):
H01L21/52 A ,  H01L21/02 B
Fターム (5件):
5F047AA17 ,  5F047BA01 ,  5F047CB00 ,  5F047CB01 ,  5F047CB03
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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