電界放出型冷陰極、その製造方法及び真空マイクロ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283716
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】エミッタにフラーレン又はカーボンナノチューブを用いた電界放出型冷陰極において、その信頼性や性能の向上をはかる。【解決手段】支持基板11上に形成された金属メッキ層15と、金属メッキ層15中に一部分が埋設されたフラーレン17又はカーボンナノチューブ16によって構成された突出部とによってエミッタが形成されている。

請求項（抜粋）：

支持基板上に形成された金属メッキ層と、この金属メッキ層中に一部分が埋設されたフラーレン又はカーボンナノチューブによって構成された突出部とによってエミッタが形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。

IPC (8件)：

H01J 1/304 , C23C 18/52 , C23C 28/00 , C25D 7/00 , C25D 15/02 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (8件)：

C23C 18/52 A , C23C 28/00 A , C25D 7/00 J , C25D 15/02 F , H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

Fターム (37件)：

4K022AA02 , 4K022AA31 , 4K022AA43 , 4K022BA14 , 4K022BA34 , 4K022CA19 , 4K022DA01 , 4K022DB02 , 4K024AA03 , 4K024AB01 , 4K024BA01 , 4K024BB11 , 4K024BC01 , 4K024CA04 , 4K024CB12 , 4K024DA08 , 4K044AA12 , 4K044AB02 , 4K044BA06 , 4K044BB03 , 4K044BB11 , 4K044BC14 , 4K044CA15 , 4K044CA53 , 5C031DD17 , 5C031DD19 , 5C036EE01 , 5C036EE02 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG12 , 5C036EH06 , 5C036EH08 , 5C036EH11 , 5C036EH26

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果電子源及び当該源を製造する方法、並びに陰極ルミネンスディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-313759 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
電界放出型カソードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-133957 出願人：ソニー株式会社
電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-249096 出願人：株式会社東芝

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