特許
J-GLOBAL ID：200903027155465531

絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置およびその方法

発明者：
森下 英俊

森下 英俊 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-130933
公開番号（公開出願番号）：特開2007-306166
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】サージ電圧の抑制およびターンオン損失の低減のみならず,短絡時の動作の安定性をも改善した絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置およびその方法を提供すること。【解決手段】対象素子Q1のゲート電極への電圧の印加を,スイッチング素子M1,M6の2つの経路により行うこととした。そして,ターンオン開始から,ゲート電圧の微分値が所定値以下になるまではスイッチング素子M6をオフし,その後にスイッチング素子M6をオンすることとした。さらに,ゲート電圧がその飽和値に近い値に達したら再びスイッチング素子M6をオフすることとした。これにより,定常的なオン状態になってからのゲート抵抗を大きくし,確実な短絡保護動作を図った。スイッチング素子M6から対象素子Q1への配線にダイオードD1を配置して,ゲート電流の逆流を防止した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型半導体素子のゲート電極に駆動信号を印加する絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置において, 駆動対象素子のゲート電極への駆動信号を出力する並列に設けられた第1および第2駆動信号出力部と, 駆動対象素子のゲート電圧が第1基準電圧以上である場合に前記第2駆動信号出力部をオフさせる第1オフ制御部とを有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置。
IPC (4件)：
H03K 17/56 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03K 17/16
FI (3件)：
H03K17/56 Z ,  H01L27/04 H ,  H03K17/16 F
Fターム (28件)：
5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH16 ,  5F038CD09 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX32 ,  5J055AX55 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055DX65 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055EZ10 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX17 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
  • MOSFETの駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-240973   出願人：日本電信電話株式会社
  • インバータ回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-259457   出願人：株式会社ミツトヨ
  • トランジスタ駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016026   出願人：三菱電機株式会社

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