半導体集積回路のパターン設計方法、フォトマスク、および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-337440
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】露光プロセスによる転写パターンの変形を抑制し、設計通りのパターンをウエハ上に転写する。【解決手段】半導体集積回路のパターン設計方法において、複数のコンタクトホールの各開口パターン形状を、長方形にするとともに、これらのコンタクトホールを、前記各開口パターンの長方形の長辺同士が隣接し、しかも各長辺の両端の位置を揃えることにより、フォトマスク上のパターンを光近接補正が容易にしかも正確に行えるものとする。

請求項（抜粋）：

電気的に接続される複数の正方形開口パターンを持つコンタクトホールに替えて、長方形開口パターンを持つコンタクトホールを設けることを特徴とする半導体集積回路のパターン設計方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 658 , G06F 17/50 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A , G06F 17/50 658 J , G06F 17/50 658 M , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開昭52-055379
特開昭52-055379
自動配線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-099994 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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