特許
J-GLOBAL ID：200903092398517293

フォトマスク及びコンタクトホール形成方法

発明者：
小林 康孝

小林 康孝 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-363976
公開番号（公開出願番号）：特開平11-184066
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 被加工膜を所望パターンに近似したパターンに沿ってエッチング処理することができるリソグラフィ用マスクパターンを提供する。【解決手段】 半導体基板20上の被加工層26に選択的なエッチング処理を施すためのエッチングマスク28aを形成すべく被加工層26を覆って配置され、選択露光を受けた後に現像処理および乾燥処理を受けるフォトレジスト28に、前記選択露光で所定のパターンを転写するために用いられるリソグラフィ用フォトマスク10。フォトマスク10には、現像処理後の乾燥処理による転写パターンの歪み分を補償するための修正部12bが設けられる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の被加工層に選択的なエッチング処理を施すためのエッチングマスクを形成すべく前記被加工層を覆って配置され、選択露光を受けた後に現像処理および乾燥処理を受けるフォトレジストに、前記選択露光で所定のパターンを転写するために用いられるリソグラフィ用フォトマスクであって、前記現像処理後の前記乾燥処理によって前記フォトレジストの転写パターンに導入される歪み分を補償するための修正部が設けられていることを特徴とするリソグラフィ用フォトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (8件)
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