特許
J-GLOBAL ID：200903027400461393
反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-251160
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294840
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】吸収体層をエッチングして露光転写パターンを形成する際の反射率低下を防止可能な反射型フォトマスクブランク及び製造方法、反射型フォトマスクブランクに露光転写パターンを形成した反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】反射型フォトマスクブランク10は、基板1と、基板1上に形成され、露光光を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上に形成され、多層反射膜2を保護する保護膜3と、保護膜3上で、露光光を吸収する吸収体層5と、吸収体層5と保護膜3との間に形成され、吸収体層5の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜4とを備え、保護膜3は、ZrとSiとを含んだ化合物、または、Zr及びSiと、O若しくはNのうちの少なくともいずれか1つとを含む化合物、または、Ru、C、若しくはYのうち少なくともいずれか1つを含む単体若しくは化合物である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
該基板上に形成され、露光光を反射する多層反射膜と、
該多層反射膜上に形成され、該多層反射膜を保護する保護膜と、
該保護膜上で、前記露光光を吸収する吸収体層と、
該吸収体層と前記保護膜との間に形成され、前記吸収体層の露光転写パターン形成の際に行われるエッチングに対して耐性を有する緩衝膜とを備え、
前記保護膜は、ZrとSiとを含んだ化合物、または、Zr及びSiと、O若しくはNのうちの少なくともいずれか1つとを含む化合物、または、Ru、C、若しくはYのうち少なくともいずれか1つを含む単体若しくは化合物であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB14
, 2H095BB25
, 2H095BC20
, 2H095BC24
, 5F046GD07
, 5F046GD15
, 5F046GD16
出願人引用 (1件)
-
反射型露光マスク
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-048654
出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社
審査官引用 (5件)
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