特許
J-GLOBAL ID：200903027429701660

半導体ウエーハの加工方法

発明者：
台井 暁治

台井 暁治 について

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新田 永留夢

新田 永留夢 について

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若原 匡俊

若原 匡俊 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-034508
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247443
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】半導体ウエーハの表面に貼着された保護テープが捩じれることなく半導体ウエーハの裏面をプラズマエッチング処理することができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に複数の回路が形成された半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、半導体ウエーハの裏面を研削した後、半導体ウエーハの裏面をプラズマエッチング処理する半導体ウエーハの加工方法であって、保護テープとして紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープを用い、半導体ウエーハの裏面をプラズマエッチング処理する前に保護テープに紫外線を照射して粘着層を硬化せしめる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面に複数の回路が形成された半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着し、該半導体ウエーハの裏面を研削した後、該半導体ウエーハの裏面をプラズマエッチング処理する半導体ウエーハの加工方法であって、 該保護テープとして紫外線を照射することによって硬化する粘着層を有するテープを用い、該半導体ウエーハの裏面をプラズマエッチング処理する前に該保護テープに紫外線を照射して該粘着層を硬化せしめる、 ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065
FI (5件)：
H01L21/304 622P ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/78 P
Fターム (3件)：
5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004FA08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
  • 処理装置及び基板処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-148047   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス

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