特許
J-GLOBAL ID：200903099385751976

フォトマスク、及び、パターン形成方法

発明者：
萩原 琢也

萩原 琢也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377439
公開番号（公開出願番号）：特開2005-140997
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 パターンの周期性から外れる部分においても、正確にパターンを形成する。【解決手段】 露光において、被加工膜に実際に形成するパターンに対応する実パターンと、フォトマスク内のパターンピッチを所定の範囲内にするように加えたダミーパターンとを有する第1のフォトマスクと、実パターンが形成された領域と、ダミーパターンの形成された領域とを区分するパターンを有する第2のフォトマスクとを組み合わせて用いる。パターン形成の際には、基板に、被加工膜を形成した後、被加工膜上に、第1のフォトマスクを用いたリソグラフィにより、第1のマスクをし、前記被加工膜に、第2のフォトマスクを用いたリソグラフィにより、第2のマスクを形成する。その後、第1、第2のマスクをマスクとして、被加工膜をエッチングして、パターンを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィにおいて用いられる第1、第2のフォトマスクからなる1対のフォトマスクであって、 前記第1のフォトマスクは、 被加工膜に形成する実際のパターンである実パターンと、パターンピッチが、所定の範囲内になるように加えたダミーパターンと、 を有し、 前記第2のフォトマスクは、 前記ダミーパターンの形成された領域と、 前記実パターンが形成された領域とを区分するパターン を有することを特徴とするフォトマスク。
IPC (5件)：
G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (7件)：
G03F1/08 A ,  G03F1/08 D ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 528
Fターム (19件)：
2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC09 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096JA10 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  2H096KA15 ,  2H096KA16 ,  2H096KA17 ,  2H096KA30 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (11件)
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