臨界電流密度の高い酸化物超電導体

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松秀岳 , 小松純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198284
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035371
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】不可逆磁場が高く、高臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を提供すること。【解決手段】RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上:-0.1≦x≦+0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、母相組成と異なるRE1+zBa2-zCu3Ow(0≦z≦0.5、6.5≦w≦7.2)の組成で、かつ、円相当直径が20nm以下である組成ゆらぎ領域を分散した微細構造を形成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦+0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、RE1+zBa2-zCu3Ow(0≦z≦0.5、6.5≦w≦7.2)の組成で、かつ、円相当直径が20nm以下である組成ゆらぎ領域が分散してなる組織を有することを特徴とするRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体。

IPC (3件)：

C01G3/00 , C01G1/00 , H01B13/00

FI (3件)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D

Fターム (9件)：

5G321AA02 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321CA04 , 5G321CA13 , 5G321DB02 , 5G321DB28 , 5G321DB30 , 5G321DB46

引用特許：

審査官引用 (9件)

希土類系酸化物超電導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-158935 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 東京瓦斯株式会社, 石川島播磨重工業株式会社
特許第2828396号
臨界電流密度の高い酸化物超電導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186629 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 岩手県

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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