特許

J-GLOBAL ID：200903027543571033

シリカ系被膜、シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品

発明者： 榎本 和宏 ,  桜井 治彰 ,  野部 茂 ,  阿部 浩一
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257113
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064307
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】 機械強度が十分であり、低誘電性に優れ、シリコンウエハー及びP-TEOS等のSiO2膜の両方への接着性に優れたシリカ系被膜を提供する。【解決手段】 実質的にOH基の含有量が大幅に減少されてなる高い緻密性を備えた微細孔を有するシリカ系被膜。

請求項（抜粋）：

実質的にOH基の含有量が大幅に減少されてなる高い緻密性を備えた微細孔を有するシリカ系被膜。

IPC (4件)：

C09D183/04 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

C09D183/04 ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 C

Fターム (30件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ41 ,  4G072MM01 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT08 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4J038DL021 ,  4J038DL061 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• シリカ系絶縁膜形成用塗布液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161559   出願人：住友化学工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-138858   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 極低誘電率化学調剤用のイオン系添加物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-106073   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-363513   出願人：ジェイエスアール株式会社
• セラミックフィルムの形成方法及びセラミックフィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-372712   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド