特許
J-GLOBAL ID：200903027571802954
磁気メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319662
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルに折り返し電流を流す構成とした場合に、充分なメモリ性能を得るとともに、作製プロセスを簡便なものとする。【解決手段】 垂直磁化膜からなるメモリ素子に対し膜面垂直方向から磁界を印加するための書き込み配線の一端を、メモリ素子を挟んで隣接する書き込み配線と接続する。任意のメモリ素子列を挟むように配置した書き込み配線に電流を流すことによって、メモリ素子のメモリ層の磁化方向を反転するのに必要な電流値が、メモリ素子列を挟んで別々に書き込み配線にそれぞれ逆向きに電流を流す場合と比較して低減される。また、書き込み用ワード線を一部共用することで、駆動回路の規模が低減される。
請求項（抜粋）：
磁化容易軸が垂直方向である磁性層で非磁性層を挟んだ磁気抵抗効果素子と素子選択用デバイスとからなる複数のメモリセルがマトリックス状に配置された磁気メモリ装置において、前記磁気抵抗効果素子の素子列を挟むように書き込み配線が配置され、前記書き込み配線はその一端で互いに接続され、他端には駆動回路及び電源回路が接続されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/08 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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