特許
J-GLOBAL ID：200903027609985080

垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光送信モジュールおよび光伝送装置および光スイッチング方法

発明者：
高橋 孝志

高橋 孝志 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026469
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216681
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 活性層のキャリア密度変動を抑制し、従来よりも高速変調可能な垂直共振器型面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 第1の共振器と第2の共振器のいずれか一方には活性層104が設けられ、他方には光吸収層108が設けられている垂直共振器型面発光半導体レーザ装置において、上記垂直共振器型面発光半導体レーザ装置は、第1の共振器と第2の共振器とが光学的に結合していることにより、異なる二つの共鳴波長を有しており、前記活性層104は、長波長側の共鳴波長よりも短波長側の共鳴波長の方が高い利得を有しており、前記光吸収層108は、電界を印加しない場合には二つの共鳴波長で吸収係数が小さく、電界を印加した場合には長波長側の共鳴波長よりも短波長側の共鳴波長の方が吸収係数が大きいことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の半導体多層膜反射鏡、第1の共振器、第2の半導体多層膜反射鏡、第2の共振器、第3の半導体多層膜反射鏡を備え、第1の共振器と第2の共振器のいずれか一方には活性層が設けられ、他方には光吸収層が設けられ、活性層に対して電流を注入する電流注入手段と、光吸収層に対して電界を印加するための電界印加手段とを有している垂直共振器型面発光半導体レーザ装置において、上記垂直共振器型面発光半導体レーザ装置は、第1の共振器と第2の共振器とが光学的に結合していることにより、異なる二つの共鳴波長を有しており、前記活性層は、長波長側の共鳴波長よりも短波長側の共鳴波長の方が高い利得を有しており、前記光吸収層は、電界を印加しない場合には二つの共鳴波長で吸収係数が小さく、電界を印加した場合には長波長側の共鳴波長よりも短波長側の共鳴波長の方が吸収係数が大きいことを特徴とする垂直共振器型面発光半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/187
FI (1件)：
H01S5/187
Fターム (19件)：
5F173AA01 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC20 ,  5F173AC52 ,  5F173AG02 ,  5F173AG20 ,  5F173AH03 ,  5F173AK21 ,  5F173AK22 ,  5F173AP31 ,  5F173AR06 ,  5F173AR36 ,  5F173MA01 ,  5F173MB03 ,  5F173ME24 ,  5F173MF12 ,  5F173MF13 ,  5F173MF18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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