特許
J-GLOBAL ID：200903046751158039
半導体発光素子およびその製造方法および光伝送システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009834
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218449
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 面型半導体光変調器を面発光半導体レーザ素子の内部に集積した半導体発光素子において、発光特性や表面性の劣化を抑制する。【解決手段】 第1導電型のGaAs/AlGaAs下部分布ブラッグ反射鏡402の結晶成長工程とGaInNAs光吸収層403の結晶成長工程との間に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したAl原料、または、Al反応物、または、Al化合物、または、Alを除去する工程を設ける。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、下部半導体分布ブラック反射鏡と、N(窒素)を構成元素として含むGaNAs,GaInNAs,GaNAsSb,GaInNAsSbのいずれかの材料で構成された活性層を含む共振器と、上部半導体分布ブラッグ反射鏡とを積層して構成される面発光半導体レーザ素子と、Nを構成元素として含むGaNAs,GaInNAs,GaNAsSb,GaInNAsSbのいずれかの材料で構成された光吸収層を含む半導体光変調器とが、積層方向にモノリシックに集積され、前記半導体光変調器が、面発光半導体レーザ素子の共振器内、または、面発光半導体レーザ素子の半導体分布ブラッグ反射鏡内に配置されており、前記下部半導体分布ブラッグ反射鏡または共振器または上部半導体分布ブラッグ反射鏡または半導体光変調器の一部が、Alを構成元素として含む半導体層で構成されている半導体発光素子の製造方法において、成長室に、窒素化合物原料またはAl原料を供給して結晶成長する工程を有し、さらに、Alを構成元素として含む層の結晶成長工程と、Nを構成元素として含む層の結晶成長工程との間に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したAl原料、または、Al反応物、または、Al化合物、または、Alを除去する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/026 616
, G02F 1/015 501
, G02F 1/015 505
, H01S 5/183
H01S 5/026 616
, G02F 1/015 501
, G02F 1/015 505
, H01S 5/183
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EB06
, 5F073AA09
, 5F073AA11
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073AB21
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA24
