特許
J-GLOBAL ID：200903056005892539

2次元電子ガスを用いた電子デバイス

発明者：
早村 光雄

早村 光雄 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-257821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151996
出願日： 2002年09月03日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 InGaNチャネル層/InAlGaNワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、2次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。【解決手段】 InxGa1-xNチャネル層/InyAlzGa1-y-zNワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のAl混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる2次元電子ガスの電子移動度を高速化する。
請求項（抜粋）：
InxGa1-xN系化合物半導体層(0≦x≦1)からなるチャネル層およびInyAlzGa1-y-zN系化合物半導体層(0≦y、0≦z、y+z≦1)からなるワイドバンドギャップ層により構成されるヘテロ構造を含み、該InyAlzGa1-y-zN系ワイドバンドギャップ層において、該ヘテロ界面でのバンドギャップが該チャネル層のバンドギャップよりも広く、該ヘテロ界面から離れるに従って、Al混晶比zが連続的にまたは段階的に減少することを特徴とする2次元電子ガスを用いた電子デバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
Fターム (16件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069617   出願人：日本電信電話株式会社
  • 化合物半導体基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324968   出願人：京セラ株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-056788   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (6件)
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