特許
J-GLOBAL ID：200903027756390164

不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置

発明者：
坂井 健志

坂井 健志 について

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石井 泰之

石井 泰之 について

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岡崎 勉

岡崎 勉 について

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中道 勝

中道 勝 について

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松井 俊一

松井 俊一 について

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新田 恭也

新田 恭也 について

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町田 悟

町田 悟 について

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中川 宗克

中川 宗克 について

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塚田 祐一

塚田 祐一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193554
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019373
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 MONOS型トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置の高性能化を推進する。【解決手段】 MONOS型不揮発性メモリのメモリセル(MC1)は、コントロールトランジスタ(C1)とメモリトランジスタ(M1)とで構成されている。コントロールトランジスタ(C1)のコントロールゲート8はn型多結晶シリコン膜からなり、酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜6上に形成されている。また、メモリトランジスタ(M1)のメモリゲート9はn型多結晶シリコン膜からなり、コントロールゲート8の一方の側壁に配置されている。メモリゲート9はドープド多結晶シリコン膜からなり、アンドープドシリコン膜に不純物をイオン注入して形成した多結晶シリコン膜からなるコントロールゲート8よりもシート抵抗が低い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面の第1p型ウエル上に第1ゲート絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートと、 一部が前記コントロールゲートの一方の側壁に形成されると共に、他部が前記第1p型ウエル上に形成された電荷蓄積層と、 前記コントロールゲートの前記一方の側壁に形成され、前記電荷蓄積層の前記一部を介して前記コントロールゲートと電気的に分離されると共に、前記電荷蓄積層の前記他部を介して前記第1p型ウエルと電気的に分離されたメモリゲートと、 前記第1p型ウエルの表面に形成され、一端が前記コントロールゲートの近傍に配置された第2導電型のドレイン領域と、 前記第1p型ウエルの表面に形成され、一端が前記メモリゲートの近傍に配置された第2導電型のソース領域とを有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、 (a)前記第1p型ウエルの表面に前記第1ゲート絶縁膜を形成した後、前記第1ゲート絶縁膜上にアンドープドシリコン膜を形成する工程と、 (b)前記アンドープドシリコン膜に不純物をイオン注入することによって、前記アンドープドシリコン膜をn型第1シリコン膜に変える工程と、 (c)前記n型シリコン膜および前記第1ゲート絶縁膜をパターニングすることによって、前記n型第1シリコン膜からなる前記コントロールゲートを形成し、前記コントロールゲートの下部に前記第1ゲート絶縁膜を残す工程と、 (d)前記第1p型ウエルの表面と、前記コントロールゲートの側壁および上面とを覆うように第1絶縁膜を形成する工程と、 (e)前記第1絶縁膜の上部にn型第2シリコン膜を形成した後、前記n型第2シリコン膜をパターニングすることによって、前記コントロールゲートの一方の側壁に前記n型第2シリコン膜からなる前記メモリゲートを形成する工程と、 (f)前記メモリゲートと接していない領域の前記第1絶縁膜を除去することによって、一部が前記コントロールゲートの一方の側壁に配置されると共に、他部が前記第1p型ウエル上に配置された前記第1絶縁膜からなる前記電荷蓄積層を形成する工程と、 (g)前記第1p型ウエルの表面に不純物をイオン注入することによって、一端が前記コントロールゲートの近傍に配置された前記第2導電型のドレイン領域と、一端が前記メモリゲートの近傍に配置された前記第2導電型のソース領域とを形成する工程、 とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (4件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/08 102C
Fターム (49件)：
5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA30 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP35 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH15 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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