特許
J-GLOBAL ID：200903027761573994

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

発明者：
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-291881
公開番号（公開出願番号）：特開2008-075182
出願日： 2007年11月09日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】 プラズマCVDによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】 シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のHとシリコン酸化膜中のSiとを反応させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を載置する載置台を有する処理室と、その上のアンテナ室とに区画された、真空排気可能な金属製のハウジングと、前記処理室と前記アンテナ室とを区画する誘電体壁と、前記アンテナ室に前記誘電体壁に沿って設けられ、高周波電力が供給される高周波アンテナと、前記誘電体壁の下側に設けられ、処理室内にガスを導入するシャワーヘッドとを有するプラズマCVD装置を用い、処理室内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入してこれらガスのプラズマを生成し、基板にシリコン酸化膜を堆積して成膜するシリコン酸化膜の成膜方法であって、 前記シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、 前記高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のHとシリコン酸化膜中のSiとを反応させることを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。
IPC (6件)：
C23C 16/42 ,  C23C 16/505 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/13 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (7件)：
C23C16/42 ,  C23C16/505 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13 101 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/31 C
Fターム (50件)：
2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  2H092MA02 ,  2H092MA08 ,  2H092MA25 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030FA04 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EK09 ,  5F045EM03 ,  5F045EN04 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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