特許
J-GLOBAL ID：200903027820473443
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232726
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072030
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】インナーチューブ等に付着する膜による基板膜厚の均一性悪化を解消し、良好な膜均一性を自動的に維持することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】反応炉10に形成された処理室16に基板20が収納され、この基板20は、処理室16の周囲に配置されたヒータ22によって加熱される。インナーチューブ12やアウターチューブ14には膜が形成され、この膜がバッチ処理数と共に増加するため、基板20の温度が低下し、基板20の膜厚が変動する。しかし、処理室16で処理された後の基板20に形成された膜の厚さを膜厚測定装置44で測定し、この膜厚の値を主コントローラ32の統計処理手段48で統計処理して監視し、記憶手段46で記憶された補正モデルに基づいて補正量算出手段50で補正量を算出してヒータ22の加熱温度や加熱時間を制御することで膜厚を均一化できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を収納する処理室と、この処理室に収納された基板を加熱する加熱手段と、前記処理室で処理された後の基板に形成された膜の厚さを測定する膜厚測定手段と、この膜厚測定手段によって測定した膜厚の値を統計処理する統計処理手段と、補正モデルを記憶する記憶手段と、前記統計処理手段の処理結果と前記記憶手段の補正モデルとから前記加熱手段の補正量を算出する補正量算出手段とを有する半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L21/205
, C23C16/52
, H01L21/02
, H01L21/22
H01L21/205
, C23C16/52
, H01L21/02 Z
, H01L21/22 Z
4K030FA10
, 4K030HA14
, 4K030JA01
, 4K030KA04
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045BB03
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045GB13
, 5F045GB16
, 5F045GB17
