特許
J-GLOBAL ID:200903027908056834

有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝 ,  浅野 真理
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-076536
公開番号(公開出願番号):特開2004-304179
出願日: 2004年03月17日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】 構造が単純で製造工程の増加を招くことがなく、かつスイッチング電圧の低い有機双安定性素子およびこれを用いたメモリ装置、およびそれらの駆動方法を提供する。【解決手段】第1電極と第2電極との間に有機薄膜が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子であって、前記有機薄膜が、下記式(I)で表される有機物質を含んでなるものである。【化1】【選択図】なし
請求項(抜粋):
第1電極と第2電極との間に有機薄膜が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子であって、前記有機薄膜が、下記式(I)で表される有機物質を含んでなる、有機双安定性素子。
IPC (2件):
H01L27/10 ,  H01L51/00
FI (2件):
H01L27/10 449 ,  H01L29/28
Fターム (10件):
5F083FZ07 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA17 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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