特許
J-GLOBAL ID：200903027942193760
マスクパターン補正方法、マスク製造方法、マスクおよび半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092612
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297716
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】重力によるマスクの変形によりパターンの位置がずれるのを防止できるマスクパターン補正方法、マスク製造方法およびマスクを提供する。【解決手段】複数のマークを有する第1の薄膜を、第1面を上面として支持したときのマーク位置を示す第1の位置データを作成する工程(ST3)と、第1の薄膜を、第2面を上面として支持したときのマーク位置を示す第2の位置データを作成する工程(ST5)と、第1の位置データを第2の位置データに変換する伝達関数を求める工程(ST6)と、第2の薄膜に形成される荷電粒子線透過部の形状であるマスクパターンを、伝達関数の逆関数を用いて補正する工程とを有するマスクパターン補正方法およびマスク製造方法と、それにより製造されるマスク。
請求項（抜粋）：
複数のマークを有する第1の薄膜を、第1面を上面として支持したときの前記マークの位置を示す第1の位置データを作成する工程と、前記第1の薄膜を、第2面を上面として支持したときの前記マークの位置を示す第2の位置データを作成する工程と、前記第1の位置データを前記第2の位置データに変換する伝達関数を求める工程と、第2の薄膜に形成される荷電粒子線透過部の形状であるマスクパターンを、前記伝達関数の逆関数を用いて補正する工程とを有するマスクパターン補正方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 1/16
, G03F 7/20 504
G03F 1/08 A
, G03F 1/16 B
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 S
2H095BB01
, 2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097LA10
, 5F056AA22
, 5F056AA25
, 5F056AA27
, 5F056FA05
, 5F056FA07
