プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116021
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299776
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】活性種等を含むプロセスガスの使用効率を向上させることができると共に、被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性の向上及びスループットの向上を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対してプラズマにより発生した活性種によって所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、筒体状の処理容器14と、被処理体を複数枚保持する保持手段22と、処理容器の側壁に設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室58と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段38と、プラズマを立てるためのプラズマ形成手段60と、処理容器内の上部空間部及び/又は下部空間部に臨ませたガス噴射孔を有する不活性ガス供給手段42と、上部空間部及び/又は下部空間部に不活性ガスを供給するように制御する制御手段94とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体に対してプラズマにより発生した活性種によって所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、前記被処理体を複数枚保持して前記処理容器内へ収容する保持手段と、前記処理容器の側壁にその長さ方向に沿って設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室と、前記プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段と、前記プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記処理容器内の上部空間部及び/又は下部空間部に臨ませたガス噴射孔を有する不活性ガス供給手段と、前記所定のプラズマ処理を行う時に前記上部空間部及び/又は下部空間部に前記不活性ガスを供給するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C30B 29/06 , C30B 29/40 , C23C 16/02 , C23C 14/02

FI (5件)：

H01L21/31 B , C30B29/06 504F , C30B29/40 502G , C23C16/02 , C23C14/02 B

Fターム (35件)：

4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF03 , 4G077FB01 , 4G077FB04 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029FA05 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030HA04 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EH13 , 5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (4件)

縦型半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-107067 出願人：株式会社日立国際電気
ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193846 出願人：理化学研究所, 新技術事業団
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248292 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (3件)

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-048059 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003594 出願人：株式会社日立国際電気
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-283294 出願人：シャープ株式会社

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