特許
J-GLOBAL ID：200903028040347019

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者：
川住 太樹

川住 太樹 について

, 
飯塚 祐二

飯塚 祐二 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-330689
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140403
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】半田リフロー工程で専用治具を用いることなしに、モジュール組立体の部品相互間の平行度を維持して半田接合できるようにした半導体装置の製造方法,およびその製造方法の実施に適用する製造装置を提供する。【解決手段】金属ベースの上に絶縁基板,半導体チップ,ヒートスプレッダを順に搭載し、各組立部品の間を半田接合した上で、ヒートスプレッダの上面に接続導体を配線した組立構造になる半導体装置について、ペースト状の半田材(クリーム半田)を介して組立部品を積層した段階での仮組立体Aを、テーブル9とこれに平行に配した昇降操作式のプレス板10の間に挟み、半田材が所望の均一厚さになるよう押圧力を加えて組立部品相互間の平行度を調整した後、この組立体をリフロー炉に搬入して組立部品の間を半田接合する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属ベース上に絶縁基板を介して半導体チップをマウントし、さらに該半導体チップの上面主電極に伝熱,導電性材のヒートスプレッダを積層して各組立部品の相互間を半田接合した上で、前記ヒートスプレッダの上面に接続導体を配線した組立構造になる半導体装置の製造方法において、 ペースト状の半田材を介して上下に組立部品を積層した段階での仮組立体を上下平行に配した一対の板材の間に挟み、かつ前記半田材が所望の均一厚さになるよう前記板材を加圧操作して組立部品相互間の傾きを矯正して平行度を調整する前処理工程と、前処理が終了した前記組立体をリフロー炉に搬入して組立部品を接合する半田リフロー工程となからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/52 ,  H01L 23/40 ,  H01L 23/48
FI (3件)：
H01L21/52 C ,  H01L23/40 F ,  H01L23/48 G
Fターム (10件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F047AA01 ,  5F047BA01 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F047CB05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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