特許
J-GLOBAL ID：200903028085256979
導波管-高周波線路変換器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塚原 孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-316281
公開番号（公開出願番号）：特開2008-131513
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】小型且つ低コストで、不要電磁波の放射もほとんど無く、しかも、機器の特性を劣化させることなく、比誘電率8以上の誘電体基板を用いることができる導波管-高周波線路変換器を提供する。【解決手段】第1及び第2のグランド層11,12を有した誘電体基板1上のコプレーナ線路2と、グランド層11の切り欠き部13内に配されたパッチ3と、グランド層11に取り付けた導波管4とを備える。誘電体基板1の比誘電率を8.0〜10に設定した。コプレーナ線路2はマイクロストリップ線路21とキャビティ部22とで構成し、パッチ3はマイクロストリップ線路21の先端部21aにビアホール30を介して接続した。ビアホール30とパッチ3を複数のビアホール31で囲んだ。好ましくは、キャビティ部22の内周縁部22bから内側部分の面積を導波管4の開口40の面積の0.41倍〜0.51倍に設定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2のグランド層を裏面及び中間にそれぞれ有する誘電体基板の表面に設けられたマイクロストリップ線路の途中から先端部迄の部分を、誘電体基板表面に形成された平面状のキャビティ部の凹部内に配置して形成したコプレーナ線路と、
上記第1のグランド層の部位であって上記コプレーナ線路のキャビティ部の真裏に位置する部位に形成された切り欠き部内に配設され且つ上記第2のグランド層に非接触のビアホールを介して、上記マイクロストリップ線路の先端部に接続したパッチと、
その開口が上記切り欠き部を内部に含んだ状態で上記第1のグランド層に取り付けられた導波管と
を具備する導波管-高周波線路変換器であって、
上記誘電体基板の比誘電率を8.0以上10以下に設定すると共に、上記切り欠き部の外周縁部と上記キャビティ部の内周縁部とを、その縁部に沿って所定間隔で列設され且つ上記第2のグランド層に接触の複数のビアホールで接続した、
ことを特徴とする導波管-高周波線路変換器。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01P5/107 Z
, H01P5/107 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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