特許
J-GLOBAL ID：200903028145867581
半導体装置用金属部品、その製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248500
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135276
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【構成】 20〜50体積%のCuと、1重量%以下のNiとを含み、残部がWおよび/またはMoを含む合金で一体に成形された金属ベース10と金属枠体2とを備える半導体装置用金属部品。1重量%未満のNi粉末を含み、残部がW粉末、Mo粉末、WとMoとの混合粉末またはW-Mo合金粉末である金属粉末の成形体にCuを溶浸して形成された金属組織で構成されている。【効果】 良好な熱放散性、搭載する半導体や他のセラミック、ガラス部品と近似した熱膨張係数を有し、高い信頼性および寸法精度を実現している。後加工が、殆ど不要なので製造コストが低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を搭載する金属ベースと、該金属ベースと一体に形成された金属部材とを備える半導体装置用金属部品において、前記金属ベースと金属部材とが、20〜50体積%のCuと、1重量%以下のNiとを含み、残部がW及び/又はMoの合金で構成され、少なくとも1面の機械加工されていない面を有し、この面の極く表層部のCu含有量が内部のCu含有量以下であることを特徴とする半導体装置用金属部品。
IPC (3件)：
H01L 23/14
, H01L 23/04
, H01L 23/06
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
