バイアスタッドの形成方法およびライン半導体構造

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117681
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016138
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】改善されたエレクトロマイグレーション寿命を有する相互接続部を提供する。【解決手段】バイアスタッドを形成する方法であって、a)付着された少なくとも第1レベルの金属22を有する基板10を準備する工程を含み、第1レベルの金属は、第1の絶縁体25内に設けられ、b)第2の絶縁体35の層を付着する工程と、c)関連レベルを形成するために、エッチャントで第2の絶縁体をエッチングする工程とを含み、関連レベルは、少なくとも1つのライン開口33と少なくとも1つのバイア開口34とを有し、各開口は、側壁と底部とを有し、エッチングは、第1レベルの金属と、バイア開口の下側の第1の絶縁体の一部を露出させ、d)露出された第1の絶縁体の一部をエッチングする工程と、e)ライナ51を付着する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

バイアスタッドを形成する方法であって、a)付着された少なくとも第1レベルの金属を有する基板を準備する工程を含み、第1レベルの金属は、第1の絶縁体内に設けられ、b)第2の絶縁体の層を付着する工程と、c)関連レベルを形成するために、エッチャントで前記第2の絶縁体をエッチングする工程とを含み、前記関連レベルは、少なくとも1つのライン開口と少なくとも1つのバイア開口とを有し、各開口は、側壁と底部とを有し、前記エッチングは、前記第1レベルの金属と、前記バイア開口の下側の前記第1の絶縁体の一部を露出させ、d)露出された前記第1の絶縁体の一部をエッチングする工程と、e)ライナを付着する工程とを含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , C25D 5/02 , C25D 7/12 , H01L 21/3205

FI (4件)：

C25D 5/02 E , C25D 7/12 , H01L 21/90 B , H01L 21/88 R

Fターム (54件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA15 , 4K024BB12 , 4K024DA07 , 4K024FA06 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN12 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ21 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033WW09 , 5F033XX00 , 5F033XX09 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平11-453637
配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-163304 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-133728 出願人：三菱電機株式会社

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