半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073799
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】誘電体薄膜と導体層との密着性を高め信頼性の高い配線構造をもつ半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の方法は、Si-O結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された誘電体薄膜表面に、反応性プラズマを供給し、前処理を行なう工程と、前記前処理のなされた前記誘電体薄膜表面にスパッタリング法により導電性膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程に先立ち、前記誘電体薄膜表面に、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)、ヘキサメチルシラザン(HMDS)、トリメチルクロロシラン(TMCS)分子のうちの少なくとも1種を含むガスを接触させる工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si-O結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された誘電体薄膜表面に、反応性プラズマを供給し、前処理を行なう工程と、前記前処理のなされた前記誘電体薄膜表面にスパッタリング法により導電性膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程に先立ち、前記誘電体薄膜表面に、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリメチルクロロシラン(TMCS)分子のうちの少なくとも1種を含むガスを接触させる工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (1件)：

H01L21/90 J

Fターム (32件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX14 , 5F033XX24

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-198942 出願人：ローム株式会社
多孔質シリカフィルムの製造方法、該方法により得られた多孔質シリカフィルム、並びにそれからなる半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-380845 出願人：三井化学株式会社

審査官引用 (2件)

誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-505668 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-148585 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Novel Self-Assembled Ultra-Low-k Porous Silica Films with High Mechanical Strength for 45 nm BEOL Te

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