特許
J-GLOBAL ID：200903028293319690
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三品 岩男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228411
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074966
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】CIS系薄膜の組成変動を広い範囲で許容でき、しかも、高いエネルギー変換効率を得ることが可能な太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】光吸収層として化合物半導体薄膜を成膜するために、基板上にIb族元素と、III族元素と、VIb族元素とを供給する工程において、第1のステップとして、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、目的とする組成の前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率よりも高くするとともに、Ia族元素を前記基板上に供給する。第2のステップとして、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、前記第1ステップよりも小さくする。
請求項（抜粋）：
光吸収層として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含む化合物半導体薄膜を用いる太陽電池の製造方法であって、前記化合物半導体薄膜を成膜するために、基板上にIb族元素と、III族元素と、VIb族元素とを供給する工程を有し、前記工程は、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、目的とする組成の前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率よりも高くするとともに、Ia族元素を前記基板上に供給する第1ステップと、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、前記第1ステップよりも小さくする第2ステップとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, H01L 21/205
