特許
J-GLOBAL ID:200903028294309320
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-203530
公開番号(公開出願番号):特開2001-036098
出願日: 1999年07月16日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップのパッケージベースに対向する面を発光面あるいは受光面とする光半導体装置として機能させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 透光性ガラスからなるパッケージ基板20の他方の面20bに、その光軸が受光部14を通るように各受光部14毎の凸レンズ部27を形成し、半導体基板10の一方の面10aをパッケージ基板20の一方の面20aと対向させた状態で、半導体基板10をパッケージ基板20に搭載して、パッケージ基板20の第1配線電極21と半導体基板10のバンプ13とを電気接続し、半導体基板10とパッケージ基板20とを一体化する。この一体化の後に、半導体基板10とパッケージ基板20とを一体的に且つ貫通孔25を横断して切断して、複数個の半導体チップ1とパッケージベース2とに分離して個々の半導体装置Aを形成する。
請求項(抜粋):
パッケージベースに半導体チップが搭載され、前記パッケージベースに設けられた外部接続用電極と前記半導体チップとが電気接続されてなる半導体装置であって、前記パッケージベースは、光学的に透明な部材からなり、前記半導体チップの前記パッケージベースに対向する面には、光を受光する受光部あるいは発光する発光部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 31/02
, H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 33/00
FI (4件):
H01L 31/02 B
, H01L 21/56 E
, H01L 23/28 D
, H01L 33/00 N
Fターム (38件):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA05
, 4M109DA07
, 4M109DB16
, 4M109DB17
, 4M109EC11
, 4M109EE12
, 4M109GA01
, 5F041AA06
, 5F041AA37
, 5F041AA38
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA45
, 5F041DB09
, 5F041EE17
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA05
, 5F061CB13
, 5F061FA01
, 5F088BA11
, 5F088BA18
, 5F088BA20
, 5F088CB14
, 5F088CB17
, 5F088JA05
, 5F088JA12
, 5F088JA20
, 5F088LA01
, 5F088LA03
, 5F088LA05
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (14件)
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