特許
J-GLOBAL ID：200903028319260665

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
脇 英司

脇 英司 について

, 
中川 敦

中川 敦 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125321
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311028
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 抵抗率の小さいオーミック電極を備えた窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成し、この第1の窒化物半導体層の上に、第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、III-V属窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造の第2の窒化物半導体層を形成する。その後、何ら加工を施さない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層の上に、オーミック接触する金属パターンを形成し、熱処理を行い、オーミック電極を形成する。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうち少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度が低い前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にオーミック接触する電極とを備え、該電極は、前記成膜状態の前記第2の窒化物半導体層上に接触していることを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/50 J
Fターム (29件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104FF29 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM