特許
J-GLOBAL ID：200903028564575035

半導体装置

発明者：
山本 良太

山本 良太 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-124411
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327941
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】基板ノイズにおける所望の周波数成分を選択的に除去できるガードリングを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】P型基板1の表面に、内部回路2bを囲むようにリング状のp+拡散領域3を形成し、P型基板1上のp+拡散領域3の直上域を含む領域にシャント配線4を形成する。そして、シャント配線4を複数のコンタクトによりp+拡散領域3に接続する。シャント配線4には、内部回路2bを囲む環状のリング部4aと、このリング部4aから引き出されたメアンダ型インダクタ4bとを設ける。メアンダ型インダクタ4bの一端は接地電位配線GNDに接続する。そして、P型基板1及びp+拡散領域3とシャント配線4との間の寄生容量と、シャント配線4のインダクタンスとにより、共振回路を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に複数の回路が形成された半導体基板と、この半導体基板の表面における前記複数の回路間に形成された導電領域と、前記半導体基板上に設けられ前記導電領域に接続され一定電位が印加され前記導電領域及び前記半導体基板との間で容量を形成する配線と、この配線に接続され前記容量と共に共振回路を形成するインダクタと、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/04
FI (3件)：
H01L27/04 H ,  H01L21/88 S ,  H01L27/04 L
Fターム (20件)：
5F033HH00 ,  5F033JJ00 ,  5F033KK01 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV05 ,  5F033VV10 ,  5F033XX00 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH03 ,  5F038BH09 ,  5F038BH19 ,  5F038CA03 ,  5F038CA09 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (7件)
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